RD30HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>30W, Gp>14.7dB @Vdd=12.5V,f=175MHz High Efficiency: 60%typ. APPLICATION For output stage of high power amplifiers in VHF band Mobile radio sets.
Ada masalah dengan produk ini?
ULASAN PEMBELI
5.0/ 5.0
100% pembeli merasa puas
1 rating • 0 ulasan
5
(1)100%
4
(0)0%
3
(0)0%
2
(0)0%
1
(0)0%
Belum ada ulasan untuk produk ini
Beli produk ini dan jadilah yang pertama memberikan ulasan