4.9/ 5.0
98% pembeli merasa puas
50 rating • 14 ulasan
5(48)96%
4(1)2%
3(1)2%
2(0)0%
1(0)0%
Atur jumlah dan catatan
Stok Total: 331
Subtotal
Rp5.000
FQP50N06 50N06 P50N06 FET50N06 MOSFET FQP50N06 DIP TO220F
Rp5.000
- Kondisi: Baru
- Min. Pemesanan: 1 Buah
- Etalase: sparepart
MOSFET FQP50N06 ORIGINAL HIGH QUALITY
FQP50N06
60V N-Channel MOSFET
QFET TM
deskripsi:
Efek medan mode daya perangkat N-Channel initransistor diproduksi menggunakan hak milik Fairchild,
planar stripe, teknologi DMOS.
Teknologi canggih ini telah dirancang khusus untukmeminimalkan resistansi terhadap keadaan, menyediakan pengalihan yang unggulkinerja, dan menahan pulsa energi tinggi dalam
longsoran salju dan mode pergantian. Perangkat ini baik-baik saja cocok untuk aplikasi tegangan rendah seperti otomotif, DC /
Konverter DC, dan pengalihan efisiensi tinggi untuk dayamanajemen dalam produk portabel dan baterai dioperasikan.
fitur
50A, 60V, RDS (on) = 0,022 @VGS = 10 V
Biaya gerbang rendah (khas 31 nC)
Low Crss (khas 65 pF)
Beralih cepat
100% longsoran salju diuji
Peningkatan kemampuan dv / dt
175 C persimpangan maksimum temperature.
FQP50N06
60V N-Channel MOSFET
QFET TM
deskripsi:
Efek medan mode daya perangkat N-Channel initransistor diproduksi menggunakan hak milik Fairchild,
planar stripe, teknologi DMOS.
Teknologi canggih ini telah dirancang khusus untukmeminimalkan resistansi terhadap keadaan, menyediakan pengalihan yang unggulkinerja, dan menahan pulsa energi tinggi dalam
longsoran salju dan mode pergantian. Perangkat ini baik-baik saja cocok untuk aplikasi tegangan rendah seperti otomotif, DC /
Konverter DC, dan pengalihan efisiensi tinggi untuk dayamanajemen dalam produk portabel dan baterai dioperasikan.
fitur
50A, 60V, RDS (on) = 0,022 @VGS = 10 V
Biaya gerbang rendah (khas 31 nC)
Low Crss (khas 65 pF)
Beralih cepat
100% longsoran salju diuji
Peningkatan kemampuan dv / dt
175 C persimpangan maksimum temperature.
Ada masalah dengan produk ini?