MDF10N65B MDF10N65 HIGH QUALITY F10N65B MDF 10N65B DIP TO220

MDF10N65B ORUGINAL HIGH QUALITY MDF10N65B MOSFET diproduksi menggunakan lanjutan MagnaChip Teknologi MOSFET dari ip, yang memberikan ketahanan negara, kinerja switching tinggi dan sangat baik kualitas. MDF10N65B adalah perangkat yang cocok untuk SMP, Kecepatan tinggi beralih dan aplikasi tujuan umum Peringkat Maksimum Absolut (Ta = 25 oC) Drain-Sumber Tegangan VDSS 650V Tegangan Sumber Gerbang VGSS 30 V Pengaliran Arus Berlanjut TC= 25 oC ID 10,0 * SEBUAH TC= 100 oC 5,0 * SEBUAH Pengaliran Pulsed Current (1) IDM 40 * SEBUAH Disipasi daya TC= 25 oC PD 47,7 W Dibatasi di atas 25 oC 0,38 W /oC Avalanche Energy yang berulang (1) EAR 15 mJ Pemulihan Dioda Puncak dv / dt (3) dv / dt 4.5V / ns Energi Single Pulsa Avalanche (4) EAS 212mJ Persimpangan dan Kisaran Suhu Penyimpanan TJ, Tstg -55 ~ 150 oC * Id dibatasi oleh suhu sambungan maksimum Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (1) RJA 62,5 oC / W Ketahanan Termal, Persimpangan untuk Kasus.(1)RJC 2,62 MDF10N65B N-Channel MOSFET 650V, 10.0A, 1.0