Barang ready silahkan diorder, dikirim sesuai gambar. Type Designator: IRFP250N Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 214 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 200 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 30 A Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C Total Gate Charge (Qg): 123 nC Rise Time (tr): 43 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 315 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.075 Ohm
Ada masalah dengan produk ini?
ULASAN PEMBELI
5.0/ 5.0
100% pembeli merasa puas
1 rating • 0 ulasan
5
(1)100%
4
(0)0%
3
(0)0%
2
(0)0%
1
(0)0%
Belum ada ulasan untuk produk ini
Beli produk ini dan jadilah yang pertama memberikan ulasan